Hi Vitor,
ich möchte gerne ein paar C-Mos Schaltungen aufbauen.
Aha. Dafuer wurden aber schon ICs entwickelt.
Welche Trasnistoren sind denn empfehlenswert?
Die Transistoren sollen schon kräftiger sein.
Bis jetzt habe ich nur den BS170 verwendet. Dieser wird aber bei manchen Schaltungen,
ganz schön heiß.
BSS123 fuer kleine Stroeme, sonst z.B. IPRF xxx. Schau doch mal als Beipsiel bei OnSemi, Toshiba, Infineon, IXYS, vorbei.
Bei er C-Mos-Schaltung kommt es ja weniger auf die Verstärkung, sondern auf die Geschwindigkeit des Schaltvorganges an.
Kann man sagen, dass je größer der Verstärkungsfaktor ist, desto schneller geht der Transistor in den linearen Bereich über?
Es kommt hauptsaechlich auf die Gate-Source Spannung und die Gatekapazitaet an, wie gut und schnell der MOSFET durchschaltet. Der Begriff "Verstaerkung" ist hier nicht zutreffend, "Transconductance" ist der korrekte Begriff. Im Deutschen wird meine ich auch "Steilheit" verwendent. Einheit ist Siemens (1/Ohm), es ist praktisch ein Leitwert.
Kann man sagen, dass je größer der Verstärkungsfaktor ist, desto schneller geht der Transistor in den linearen Bereich über?
Die Aussage macht so keinen Sinn. Zum einen weil der Begriff der Verstaerkung falsch ist, zum anderen beginnt (wenn man beispiels weise Vgs konstant haelt) der MOSFET im linearen Betreibsbereich, um dann bei voll aufgesteuertem Kanal unter dem Gate in die Saettigung zu gehen.
Prinzipbedingt wird die Geschwindigkeit der PMOS immer schlecht sein als die NMOS (Lochleitung vs. Elektronenleitung). Wie oben schon erwaehnt, fuer die Geschwindigkeit ist hauptsaechtlich die Gatekapazitaet und die Technik (PMOS und NMOS) verantwortlich.
Ist es schlimm, wenn ein Transistor für 220V ausgelegt ist, und ich diesen in 5-10v Bereich betreibe?
Nein.
Werden diese fehlerfrei funktionieren?
Ja. Man beachte aber den Rdson in Abhaengigkeit von Vds.
Gruss,
Stefan
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